한국 반도체 ‘50나노 디램’ 줄달음

삼성 56나노·하이닉스 54나노 제품 양산 돌입
외국업체 기술력보다 1년 앞서…실적개선 기대

디(D)램 반도체분야 세계 1·2위 업체인 삼성전자와 하이닉스반도체가 나란히 50나노 공정의 디램 양산에 들어가며 외국 경쟁업체들의 추격을 따돌리고 있다.

20일 삼성전자는 이달부터 56나노 공정을 적용한 디램 양산을 시작했다고 밝혔으며, 김종갑 하이닉스 사장도 54나노 디램 제품을 다음달부터 양산에 들어간다고 공개했다. 지난해 말 기준으로 60나노급 공정으로 디램을 양산한 업체는 삼성전자와 하이닉스뿐이고, 마이크론이나 엘피다 등 경쟁업체들은 양산 기술이 70~80나노급에 머물러 있는 것으로 알려졌다. 업계는 두 업체의 기술력이 시간상으로는 1년 정도 앞선 것으로 판단하고 있다.

50나노 기술은 회로 선폭이 가늘어지기 때문에 기존 60나노급 기술에 비해 생산성이 50％ 이상 향상된다. 제품 용량은 더 크게, 속도는 더 빠르게, 크기는 더 작게 만들 수 있어 1기가 디램 생산에 매우 유리하다. 아이서플라이 등 시장 조사기관에 따르면 지난해 전체 디램시장에서 11%를 차지했던 1기가 디램은 올해 58%, 내년에는 80%를 차지할 것으로 예상되는 제품이다. 삼성전자와 하이닉스는 이미 1기가 디램의 비중을 전체 디램 생산의 절반 이상으로 끌어올리는 등 주력 제품을 512메가에서 1기가로 교체하고 있다.

안성호 KB투자증권 애널리스트는 “올 하반기 이후 반도체시장의 수급이 개선될 것으로 보이는데 삼성전자와 하이닉스가 경쟁사들을 따돌리고 나란히 50나노 공정에 먼저 진입했다는 것은 제품원가를 낮춰 향후 가격 반등이 있을 경우 한국 업체들의 실적 개선이 크게 나타날 수 있는 신호”라고 평가했다.

하이닉스는 또 이달부터 48나노 공정 기술을 적용한 16기가 낸드플래시 제품의 양산을 시작했다고 밝혀 그동안 삼성전자와 도시바가 50나노급 공정기술을 통해 지배해왔던 이 시장의 본격 경쟁을 예고했다.

구본권 기자 [e-mail]